-画素ピッチは1.75μm
-画素ピッチ1.75μmに対応したレンズはなく、国内メーカー数社が開発中
-フル解像度10コマ/秒を実現
-サンプル出荷は2006年秋。量産開始は2007年前半

考えるほどに頭痛がしてきた。

消費者がダイナミックレンジを軽視するから、こういう商品ができるのだね。

メリットもたくさんあるから良いんじゃないでしょうか

他の会社が競って追従しなければ（笑）

別に一社が開発しても、あまり問題がない
技術の進歩は歓迎すべきでしょう。

画素数は増やさずにダイナミックレンジを広げることって
実はできなかったりして？　
(フジのハニカムHRみたいなのは別にして)

だから画素数増やす方にしか進歩できないとか。

ずいぶん前からそこら中で、もう画素数UPは不要！って
言ってるのに、一向にその声に応える撮像素子が出てこない。

露出を変えて連写してダイナミックレンジの広い画像をつくるのってできないかな

カシオの1000万画素機もこいつも、「高感度の時は画素混合でノイズレス。
その代わり記録画素数は半減」とかにしても良いのになあ。
半減したって1000万画素なら500万画素に、800万画素なら400万画素になるんだよ。
充分じゃん。

そういう使い方が出来るなら（こういう使い方がダイナミック・レンジの
拡大にも使えるなら）極小素子・高画素でも歓迎できるんだがな。

半導体の進化は凄いですね。
時々思うのですが、今の技術で、本気で２／３型、３００万画素くらいののCCDもしくはCMOSを作ったら、どれくらいの性能がでるんでしょうか？E-300やD2Xより若干小さいくらいの画素ピッチは確保できると思います。
多画素化、微小化の技術が進むのはいいのですが、それを生かした逆の発想のモノを作ってくれたら面白いだろうと思うのですが、やっぱりこれでは商売にならないのでしょうかね。

>６　に同意！

画素混合してるのに、高解像度で出力するなんておかしい。
無駄にメモリを圧迫するだけの気が。

要は次々新しいモノを開発し続けなければならない、そんなサイクルになってるんでしょう。

半導体プロセスって一番の需要であるメモリの需要を満たすように装置が作られているので、転送速度などのデジタルな部分は進化するけど、アナログ特性は悪くなる一方なんですよね。
アナログ特性をある程度維持しようとすると、単にトランジスタを大きく作りこめばよいという問題ではなくて、配線となるアルミの蒸着なども厚みを持たせていかないといけない

ところが沢山のチップが取れる大きなシリコン板を扱える装置はみな微細化に走っているので、画像素子に必要なアナログ特性に有利な・・・つまり微細化の逆を行く技術は、製造上難しい。。(なので特性の良いアナログICや、トランジスタ等は古い装置を使う)

マイクロンはもともとメモリメーカーですから、持っている製造装置の関係からも微細化に行くのが装置の流用を考えると妥当なんでしょう。

大きなシリコン板を扱えてそしてアナログ的に有利な蒸着技術と先端の製造能力を持ち込んだ装置・・・結局CANONのように自社で作るしかないのかもしれません。

ははは、シャープ製CCDの画素混合は9画素まとめてハイ！ですよ。
単純に考えても1000/9で110万画素ちょいの解像度しかありません。

そのうち、画素が小さすぎて光が入らなくなったりして！

さっさと１／２．５型１億画素撮像素子を作ってください。
ノイズは気にしません。

1/2.5インチはともかく、APS-C 1億画素は早いうちに本当に出てきちゃいそうで怖い。

CMOSセンサー「MT9E001」(プロトタイプ) は、ゴミや傷が多いみたいですね。これでちゃんと写るんでしょうか。

レンズがあってのカメラなんだけどねー。
レンズは、そう簡単に性能上げられないでしょう。高くなっちゃうしね。
ガラスの精度そこまで上がらんでしょう。
フルサイズ信者ではないけど、大きいセンサーに惹かれますね。
同じレンズ性能で、画質が上なわけですよね。
安くて大きいセンサー開発してください。

対応するレンズが無いって・・・・・・・・

もうここまで来るとギャグですなw

ISO20～の馬鹿カメラが出る日もそう遠くないかも。

>10
>アナログ特性は悪くなる一方なんですよね

そこのところをもう少し詳しく語ってくれませんか？

３μピッチのセンサーでもF４ぐらいから回折の影響を受けてコントラストが低下し始めてさらに絞ってゆくと解像度も低下します。多分２μ切ったピッチのセンサーだと開放F2.8ぐらいで最高画質になると思いますので実用性のないシステムですね。センサーのピッチを微細化するのは全く問題有りません、かなり簡単にできます。問題はその上に乗っかるマイクロレンズやIR等の平行平面板で起きる収差をどう回避するかなのですが、レンズはないと言い切っているところを観ると検討していないと言うことですね。

>>19
開放F2.8でしか使えなくても、被写界深度も十分になるし、凝った設定を要する撮影でなければ十分実用性あるかと。
運動会用のコンパクト高倍率望遠ズーム用とか。

無論、画質とかで問題はありそうですが、誰もが「画質命！」ではありませんし。

ただ、レンズが無いってのは笑うしかない話ですが。

>10
それは・・・今まではタマタマその「製造装置」がデジカメ用撮像素子の製造にも流用できたというだけのことで、今後高密度化が進めば光学的限界によって撮像素子の製造用としては適さなくなるという事ですよね？

ちょうど今は、光学的限界を何とか力技で抑えつつ高密度化について行くか、全体の大きな流れから分離して撮像素子製造用として最適化を図るのか、という分岐路に立っている？

今後は撮像素子の低価格化や高密度化は今までのようには早く進まないかもしれないですね。

技術の進歩にブレーキはかけられません。
一旦、戦争を始めたらトコトンいくしかないです。
それいけ!ドンドン! 撮像素子がノイズ発生機になるのも
近いな。

この素子の性能をフルに生かせば
イオス１DmkⅡを連写・画素数のスペックを越えますね
わくわく

カシオQV10が懐かしい。あの頃100万画素超えるかどうかで大騒ぎ。

＞７

その通りですね。３００万画素のFinePixＡ３０３を使っていたのですが、
あまりにF10（600万画素）の評判がよいので、買ってしまった。ところが
A5でのプリントで通常の条件のよい明るいところでは、むしろＡ３０３の
ほうが画質はいいのです。＞7さんの発想は正しいと思いますね。
いつかきっと写真文化を大切にしてくれるメーカーからの発売を期待
します。それまで生き残ってください。

>10

お説ごもっとも。(なので特性の良いアナログICや、トランジスタ等は古い
装置を使う)－－－おわかりと思いますがここだけちょっと説明不足かな。

小さくすると、理論上も実質上もノイズが増えるので、ギリギリノイズを
減らしたいアナログは小さくできない。また、トランジスタは小さくすると
耐圧が低くなるのでそれもできない－－－という物理面と、アナログICや
トランジスタは成熟製品でコストギリギリで生産しているから、新規設備に
投資しがたいという経済面もあるのではいかと思います。

1/2.5型800万画素が存在するのはいいけど
新発売のデジカメが全部この画素になってしまうのが困る
皆さん言うようにDレンジを考えていない

気を取り直して考えると、レンズ性能の向上には貢献するかも。
現状では、高画素チップが安くたってレンズに金がかかれば無意味。
でステッパーレンズメーカーの株が上がったりするかも。

レンズ性能が大幅に不足では困るが、少し不足ならむしろ有利。
なぜならローパスを省略できてコストダウン。

ステッパーレンズメーカーは、世界で三社。ニコン、キャノン、そしてツァイス。
ツァイスレンズを使ったステッパが販売台数トップになった。ドイツの逆襲。
いいですね、競りあえばいい物ができる。

レンズのエアリーディスクは物理的な限界ですから新規技術でも突破出来ません。広角レンズで像高歪み（縦横の格子が樽型に写ったりする現状）がほとんど無くても発生するパスペクティブと同じです。パースペクティブはレンズの歪みがないのに物が歪んで見えます。
センサーは絵がでてなんぼですから、レンズを検討していない、もしくは検討したけど投げたのはどうかと思います。センサーを作って絵を出さないわけは無いですから、投げたと思われますが考えすぎでしょうか。

>18
>>アナログ特性は悪くなる一方なんですよね
>そこのところをもう少し詳しく語ってくれませんか？
微細化ってことは、トランジスタも小さいがアルミor銅の配線も必然的に細いということなんですね。　配線が細いということは、インピーダンスが高くなるということ、そして配線自体の耐圧も低くなってしまう。　例えば130nm等のサブミクロンプロセスは5Vという電圧でもシリコン上の配線は絶縁空間距離が足りなくてスパークするそうな。

なので微細化が進むほどスパーク防止・信号の変移時間を稼ぐのも含めて電源電圧を低くするけど、微細化が進んだトランジスタは高速応答だが駆動電流は少ない。　そして高インピーダンスな配線。
低電圧電源に対して外来ノイズの絶対値は同じだから、低い電源電源のノイズマージンが少ない。(つまり有効な電圧幅が狭い)

アナログ回路にとってはより高電圧・より低インピーダンス配線が基本ですから、微細化が進む半導体はアナログ回路にとって悪い条件ばかり重なるということになります。
なので、特性の良いアンプやAD/DAコンバーターは5V/12Vの耐圧を持つちょっと古い半導体プロセスを使用するのが多いです。

CCDもこのあたりの事情はおなじ・・・高電圧部分の撮像素子と低電圧のデジタル伝送回路が組み合わさっていますので。
でも高電圧回路を有したまま微細化はかなりしんどいので、CCDはプロセスの進歩が難しい。　そういう意味ではロジックと同一のプロセスで作るCMOSセンサーは有利だと思います。
難点は・・・どんなに特性を改善しようとしても、低い電源電圧・高インピーダンス配線が仇となってノイズが乗りやすいということです。