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2011年03月04日

【その他】ソニーの「Exmor R」が第57回大河内記念生産賞を受賞(デジカメWatch)

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コメント
1 投稿者: (115.162.109.40) : 2011年03月05日 20:45

理論通りの効果があったなら、十分に納得できる。

2 投稿者: (58.183.26.142) : 2011年03月05日 20:51

うんこなのに。

3 投稿者: (218.137.117.150) : 2011年03月05日 23:10

うんこんなのに。

4 投稿者: (183.77.60.51) : 2011年03月06日 08:05

自分は、裏面照射の構造にトライして量産化に成功したことは、
素直に拍手を送りたいと思います。

考え方は、実にシンプルで、基本性能を上げる正統派だと思います。
異層間ノイズなどの課題は、まだ残ってますけどね。
しかし・・・残念なのはそのデバイスの開発を従来と変わらない高画素化の
ロードマップに乗せてしまったこと。そしてそれが業績として結果に結びついたこと。
方向性を変えるいいチャンスだったのにね。

5 投稿者: (221.119.66.90) : 2011年03月06日 09:56

>3 切り替えし、うまい。裏めんしや~。

6 投稿者: (218.217.154.8) : 2011年03月06日 10:40

>4
高画素化するための技術が裏面です。
低画素だと裏面のメリットがでない。
問題は、裏面のカメラばかり発売し、消費者の選択枝をなくしたこと。
デジ一に移行せよとのメーカーの圧力に見える。

7 投稿者: (183.77.60.51) : 2011年03月06日 17:18

>6
あなたが低画素と高画素の線引きをどこに
置いているか判りませんが、ソニーがAPS-Cなどの
大判センサーではメリットがないと言ったことから
そう言ってるんでしょうか?

裏面照射は、CCDより高速読み出しや動画対応などでメリットがある
CMOSの欠点である開口率の悪さからくる感度、S/N比の悪さを
カバーするために作ったものなんですよ。

確かに高画素化出来る余裕ができたとは言えますが、
高画素化のための裏面照射じゃないことは理解下さい。

8 投稿者: (122.23.175.136) : 2011年03月06日 18:09

どうせ、メーカーとしては表面照射型の撮像素子が
高画素化の限界にきたので、その限界を突破するために
裏面照射型を採用しなければどうにも
ならないという事だろう。言わば、相も変わらぬ
高画素信仰でバカな消費者にデジカメを
買わす為の戦術の一つなのです。
この撮像素子を採用した事で更なる高画素化が
進む事でしょう。とっくに光の回析限界は
超えていると思うのだが。

9 投稿者: (218.217.154.8) : 2011年03月06日 18:58

>7
感度はともかく、S/N比が改善したように見えません。
昼間の撮影では、色味が汚くなっている印象です。

10 投稿者: (210.234.156.58) : 2011年03月06日 19:30

>7 裏面照射は、CCDより高速読み出しや動画対応などでメリットがある
> CMOSの欠点である開口率の悪さからくる感度、S/N比の悪さを

何故にCMOSとCCDを比較するのだ。表面なら問題ないのでは?

”CMOSの欠点である開口率の悪さ”って表面の話?それなら 6
の言う1画素が大きい低画素なら、表面でもそれ程には開口率は
悪くはならないでしょう。

11 投稿者: (183.77.60.51) : 2011年03月06日 23:19

>9
詳しいことは、割愛しますが、裏面照射CMOSは、ノイズ発生の原因となる異物質層間が通常の
プロセスのセンサーより多いため、低感度の画質が良くないようです。でもこのあたりは、プロセスの
改善で良くなっていくと思います。

>10
あなたが言う『表面』には、配線層があるのはご存知ですよね。その配線がCCDよりCMOSの方が
多いんですよ。だから開口率が悪くなってしまうんです!
裏面照射センサーの構造を理解されていますか?

12 投稿者: (183.77.60.51) : 2011年03月06日 23:19

>9
詳しいことは、割愛しますが、裏面照射CMOSは、ノイズ発生の原因となる異物質層間が通常の
プロセスのセンサーより多いため、低感度の画質が良くないようです。でもこのあたりは、プロセスの
改善で良くなっていくと思います。

>10
あなたが言う『表面』には、配線層があるのはご存知ですよね。その配線がCCDよりCMOSの方が
多いんですよ。だから開口率が悪くなってしまうんです!
裏面照射センサーの構造を理解されていますか?

13 投稿者: (210.169.100.33) : 2011年03月06日 23:42

>12

低画素、すなわち1画素が大きい場合は配線の割合は少なくなる。
また、マイクロレンズで集光するので、1画素が大きい場合は開口
率は問題にするほどでもない。
裏面照射は概ね画素ピッチ2μ以下程度で使われている。一眼に
使われている画素ピッチ5μ程度では裏面の効果はあまりない。
フォトダイオードとマイクロレンズの距離が短いので、周辺減光には
効果はあるけどね。

14 投稿者: (183.77.60.51) : 2011年03月07日 06:23

>12
やっとまともなレスがきてホッとしています。
確かにその通りです。今ハイエンドコンパクトと言われるGRD3などに
搭載されてる1/1.7型CCDが同じ画素数でこの裏面照射CMOSに置き換わっても
さほど画質は改善されないでしょうね。
もちろんCMOS得意の高速連射やフルHDは対応出来るでしょうが。

最初に裏面CMOSが登場した10Mは、結構いい落としどころのピクセルサイズ
だったと思うんです。ただ低感度時の画質に課題がありましたよね。
その後プロセス改善されてきて性能が上がってきているはずなんですが、12M、16Mと
高画素化されて±0になってしまっているのは、CCDと同じです。この流れを
断ち切るチャンスだったことを言いたかったんです。私の説明不足でした。

15 投稿者: (36.14.70.57) : 2011年03月07日 12:48

つまりパナソニックのCMOSは、極めて優秀なもの
ってことなのかな。

16 投稿者: (218.137.117.150) : 2011年03月09日 00:42

ま、ソニーには無理だろうなw

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